先端材料・デバイス研究会in金沢 開催

9/12（土）・金沢大角間キャンパスにおいて、先端材料・デバイス研究会in金沢を開催しました。
会議では電子材料・デバイスを御専門とする８名の講師の先生方に最新の研究成果に留まらず、当該分野の現在のトレンドから今後の動向等についても分かりやすく詳細に御講演いただきました。
また、各御講演に対して専門分野を越えた議論が大変活発に交わされました。

金沢大学 理工研究域　森本章治 先生
「金沢大学におけるレーザーアブレーション研究と酸化物薄膜作製への応用」


兵庫県立大 工学研究科　中嶋誠二 先生
「時分割X線回折法およびSPM法を用いたBiFeO3薄膜の強誘電特性評価」


東京理科大 理学部　中嶋宇史 先生
「高分子強誘電体のスイッチング特性を支配する要因」


山梨大学 クリスタル研究センター　長尾雅則 先生
「酸化物高温超伝導体針状単結晶(ウィスカー)の育成」


物質・材料研究機構　高野義彦 先生
「鉄系超伝導体FeSe系の最近の展開」


名古屋大学 工学研究科　石井聡 先生
「ホウ素ドープMWNT及びコールドウォールCVDによるSWNTの成長と評価」


金沢大学 理工研究域　徳田徳夫 先生
「ダイヤモンド表面の原子レベル制御」


九州大学 工学研究院　田中悟 先生
「微傾斜SiC表面上のグラフェン形成と電子物性」


　
　
質疑応答の様子