科学研究費補助金
平成24-25年度 挑戦的萌芽研究
研究題目：巨大残留分極を用いたカーボン系材料の表面キャリア制御
平成21-22年度 若手研究(B)
研究題目：極限環境動作を目指した強誘電体不揮発性メモリデバイスの開発
平成19-20年度 若手研究(B)
研究題目：高濃度ボロン添加ダイヤモンド超伝導体薄膜を用いたジョセフソンデバイスの開発
公益法人からの研究助成・その他
村田学術振興財団 平成28年度 研究助成
研究題目：強誘電体の巨大分極を利用した超低損失ダイヤモンドパワーFETの創出
科学技術振興機構 マッチングプランナープログラム
研究題目：有機強誘電体をゲートとしたダイヤモンドパワーFETの開発
東燃ゼネラル石油研究奨励財団 平成26年度 研究助成
研究題目：超低損失パワーデバイスを指向した強誘電体ゲートダイヤモンドFETの開発
マツダ財団 平成26年度 マツダ研究助成
研究題目：ソフト化学プロセスによる単原子層デバイスの形成と超高機能性の実証
中部電気利用基礎研究振興財団 平成25年度 研究助成
研究題目：巨大電荷誘起を利用した超低損失パワーFETデバイスの開発
第6回 北陸銀行若手研究者助成
研究題目：モノレイヤー物質を用いた新規ナノヘテロデバイスの創製と超機能の探索
科学技術振興機構 平成25年度 A-STEP（探索タイプ）
研究題目：過酷環境で動作できる高い信頼性を持った非鉛強誘電体材料の開発
松籟科学技術振興財団 平成24年度 研究助成
研究題目：磁歪材-強誘電体複合構造を用いたエンジニアードマルチフェロイック材料の開発
澁谷学術文化スポーツ振興財団 平成24年度 大学の新技術活動への奨励金
研究題目：過酷環境動作と低消費電力を実現する革新的メモリデバイスの創製
村田学術振興財団 平成24年度 研究助成
研究題目：超高機能不揮発性メモリデバイスを目指したBiFeO3・ダイヤモンドMFIS構造に関する研究
科学技術振興機構 平成21年度 シーズ発掘試験研究
研究題目：環境に優しい新規強誘電/圧電材料の開発と応用
三谷研究開発支援財団 平成21年度 助成対象研究開発
研究題目：同時元素置換法を用いた室温安定動作型非鉛強誘電/圧電材料の開発と応用
関西エネルギー・リサイクル科学研究振興財団 平成18年度 研究助成
研究題目：ダイヤモンド超伝導体デバイスの作製プロセス技術の確立とその基礎研究
公益法人からの渡航助成
財団法人 日本板硝子材料工学助成会 平成22年度 国際研究集会参加助成
研究題目：Fabrication of metal-ferroelectric-semiconductor capacitor composed
of Au/(Bi,Nd)(Fe,Mn)O3/Nb:SrTiO3 and their characteristics
財団法人 C&C振興財団 平成17年度 国際会議論文発表者助成
研究題目：Tunneling characteristics of small-sized Intrinsic Josephson junctions in (Y0.86Ca0.14)Ba2Cu3Ox whiskers
財団法人 丸文研究交流財団 平成15年度 国際交流助成
研究題目：Charging effect on Bi-2212 intrinsic Josephson junctions at ultra low
temperature
財団法人 丸文研究交流財団 平成14年度 国際交流助成
研究題目：Influence of charging energy on Cooper-pair tunneling in Bi-2212 small
intrinsic Josephson junctions
学内競争的資金
平成20年度 金沢大学重点化経費
研究題目：同時元素置換法を用いた室温安定動作型非鉛強誘電/圧電材料の開発と応用
平成19年度 金沢大学重点化経費
研究題目：新規液相成長法を用いた高品質マルチフェロイック厚膜材料作製プロセスの開発
平成18年度 金沢大学重点化経費
研究題目：電子デバイス用高品質ダイヤモンド超伝導体薄膜の作製と基礎デバイス開発に関する検証
科学技術振興機構 平成24年度 A-STEP（探索タイプ）
研究題目：強誘電性自発分極を利用した多値記録抵抗変化メモリの開発
（代表：金沢大学・森本章治教授）
文部科学省 平成23-24年度 科学研究費補助金 挑戦的萌芽研究
研究題目：低環境負荷金属酸化物を用いた中間バンド半導体薄膜の開発と光電特性
（代表：金沢大学・森本章治教授）
文部科学省 平成21-23年度 科学研究費補助金 特定領域研究
研究題目：炭素系化合物の物質探索
（代表：物質材料研究機構・高野義彦グループリーダー）
文部科学省 平成19年度 科学研究費補助金 特定領域研究
研究題目：エルビウム添加強誘電体薄膜の作製と圧電効果を用いた発光制御
（代表：金沢大学・森本章治教授）