2017年

学術雑誌論文

R. Karaya, I. Baba, Y. Mori, T. Matsumoto, T. Nakajima, N. Tokuda, and T. Kawae
B-doped diamond field effect transistor with ferroelectric vinylidene fluoride-trifluoroethylene gate insulator
Japanese Journal of Applied Physics, 56, 10PF06 (2017)

学会・研究会報告

仲林裕司、山田悟、井藤聡詞、川江 健
ミストCVD法によるサファイヤ基板上のα-Ga₂O₃薄膜成長の条件検討
第78回 応用物理学会秋季学術講演会（福岡市 福岡国際会議場）

井藤聡詞、仲林裕司、Antoro Iwan、川江 健
Siドープβ-Ga₂O₃薄膜に対する活性化エネルギーの評価
第78回 応用物理学会秋季学術講演会（福岡市 福岡国際会議場）

T. Kawae
Diamond field effect transistor with ferroelectric gate structure (Invited Talk)
Collaborative Conference on Materials Research (CCMR2017)
Jeju, Korea

S. Shoji, H. Furuichi, and T. Kawae
Fabrication of H-terminated diamond MISFET with Al₂O₃ as buffer layer
6th Internationalt Symposium on Organic and Inorganica Electric Materials and Related Nanotechnology (EM-NANO2017)
Fukui, Japan

S. Ito, I. D. Antoro, T. Nakajima, and T. Kawae
Estimation of activation energy of Si-doped β-Ga₂O₃ thin films
6th Internationalt Symposium on Organic and Inorganica Electric Materials and Related Nanotechnology (EM-NANO2017)
Fukui, Japan

S. Shimizu, S. Watanabe, T. Nakajima, and T. Kawae
1T type ferroelectric random access memory with MoS₂ channel
6th Internationalt Symposium on Organic and Inorganica Electric Materials and Related Nanotechnology (EM-NANO2017)
Fukui, Japan

森 陽介、柄谷涼太、馬場一気、吉田稜、中嶋宇史、松本翼、徳田規夫、川江 健
P(VDF-TrFE)をゲートとしたボロンドープダイヤモンドFET
第34回 強誘電体応用会議（コープイン京都）

清水勝基、渡邊貞宗、中嶋宇史、川江 健
MoS₂を用いた強誘電体メモリ構造の作製
第34回 強誘電体応用会議（コープイン京都）

S. Ito, A. Ozawaa, I. D. Antoro, T. Nakajima, and T. Kawae
β-Ga₂O₃ field effect transistor with ferroelectric gate
The 8th International Conference on Electroceramics (ICE2017)
Nagoya University, Japan

庄司駿輔、古市浩幹、川江 健
CSD法でバッファ層を堆積した水素終端ダイヤモンドMISFET
第64回 応用物理学会春季学術講演会（パシフィコ横浜）

渡邊貞宗、清水勝基、中嶋宇史、川江 健
強誘電体VDF/TrFEを用いたトップゲート型MoS₂-FET構造の作製 (2)
第64回 応用物理学会春季学術講演会（パシフィコ横浜）

柄谷涼太、馬場一気、吉田稜、庄司駿輔、中嶋宇史、徳田規夫、松本翼、川江 健
強誘電体をゲート絶縁膜としたホウ素ドープダイヤモンドFET構造の作製 (2)
第64回 応用物理学会春季学術講演会（パシフィコ横浜）

渡邊貞宗、清水勝基、中嶋宇史、川江 健
MoS₂をチャネルとした1T型FeRAMの作製
第4回 強的秩序とその操作に関わる研究グループ研究会（東大）